深圳2021年3月17日 /美通社/ -- 2021年是DDR內(nèi)存技術(shù)升級換代的快速發(fā)展階段，自2020年以來，5G、AI、汽車、電競市場需求的居高不下，加速推動了DDR產(chǎn)品迭代以及技術(shù)升級。2020年7月中旬JEDEC固態(tài)存儲協(xié)會正式發(fā)布DDR5 SDRAM內(nèi)存標準規(guī)范后，DDR5新技術(shù)應用受到業(yè)內(nèi)的關(guān)注以及專業(yè)領(lǐng)域的探索。
江波龍電子（以下簡稱“Longsys”）緊跟存儲技術(shù)發(fā)展前沿，為了滿足行業(yè)的專業(yè)人士以及廣大用戶對未來產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展的期望，進而為存儲行業(yè)應用的未來提供更多可能性，在今天正式發(fā)布Longsys DDR5內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）。此外，Longsys旗下技術(shù)型存儲品牌FORESEE以及高端消費類存儲品牌Lexar雷克沙也將為各自主要應用領(lǐng)域提供強有力的支持。
江波龍電子DDR5內(nèi)存產(chǎn)品
DDR5內(nèi)存速率最高可達6400Mbps
是DDR4的兩倍
此次DDR5的產(chǎn)品發(fā)布，涉及兩款全新架構(gòu)產(chǎn)品原型，分別是1Rank x8和2Rank x8標準型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相較于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了顯著提升。
產(chǎn)品系列 |
DDR5 UDIMM |
DDR5 UDIMM |
容量 |
16GB |
32GB |
設(shè)計參考 |
JEDEC R/C A 0.50 |
JEDEC R/C B 0.51 |
設(shè)計架構(gòu) |
1Rank x8 / 288PIN |
2Rank x8 / 288PIN |
速度 |
4800Mbps |
4800Mbps |
延遲時序 |
CL 40 |
CL 40 |
VDD/VDDQ/VPP |
1.1V/1.1V/1.8V |
1.1V/1.1V/1.8V |
工作溫度 |
0攝氏度 ~ +95攝氏度 |
0攝氏度 ~ +95攝氏度 |
儲存溫度 |
-55攝氏度 ~ +100攝氏度 |
-55攝氏度 ~ +100攝氏度 |
DRAM P/N |
MT60B2G8HB-48B:A |
MT60B2G8HB-48B:A |
DRAM 密度 |
16Gb(2Gx8) |
16Gb(2Gx8) |
PCB Layout |
8 Layer |
8 Layer |
PCB 尺寸 |
133.35 * 31.25 * 1.27 mm |
133.35 * 31.25 * 1.27 mm |
全方位數(shù)據(jù)測試
性能穩(wěn)定突出
Longsys DRAM研發(fā)經(jīng)過多年的潛心積累，在DDR5新一代產(chǎn)品上率先開展測試技術(shù)投入，此次測試特別選取了部分測試數(shù)據(jù)首次面向公眾開放。其中，展示的測試實例采用了Intel AlderLake-S ADP-S CRB開發(fā)板，搭配Longsys DDR5 32GB內(nèi)存模組，并配置Windows 10 Pro x64操作系統(tǒng)，分別通過魯大師和AIDA64兩個熟知的軟件展示DDR5的真實數(shù)據(jù)。
通過BIOS了解到DDR5新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道
1 魯大師測試數(shù)據(jù)
首先呈現(xiàn)的是硬件配置，內(nèi)存識別為Longsys ID。
通過魯大師測試，Longsys DDR5 32GB的跑分高達19萬分有余。
2 AIDA64測試數(shù)據(jù)
通過測試，能夠獲取到Longsys DDR5 32GB讀/寫/拷貝/延遲的性能跑分。
為了更加直觀地體現(xiàn)性能的提升力度，還加入了DDR4的測試對比。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，Longsys DDR5在性能上實現(xiàn)了跨越式提升。
Production |
Longsys DDR5 |
Longsys DDR4 |
各指標性能提升能力 |
|
CL |
40 |
22 |
||
AIDA64 |
Read |
35844 |
25770 |
40% |
Write |
32613 |
23944 |
36% |
|
Copy |
28833 |
25849 |
11% |
|
Latency |
112.1 |
56.8 |
-- |
|
魯大師 |
內(nèi)存跑分 |
193864 |
91757 |
110% |
核心指標揭秘
Longsys DDR5新技術(shù)強大之處
功能/指標 |
技術(shù)/參數(shù) |
糾錯模式 |
支持On-die-ECC |
預取模式 |
支持16n Prefetch模式（BL16） |
端到端接收模式 |
擴展增加CA/CS類信號ODT |
均衡模式 |
支持DFE技術(shù)（增強信號完整性） |
電源管理模式 |
增加PMIC集成功能 |
刷新模式 |
支持SAME-BANK Refresh技術(shù) |
通道模式 |
內(nèi)置獨立雙通道機制 |
陣列分層模式 |
支持8個BG，共32個Banks |
糾錯能力增加
在優(yōu)化DDR5 DRAM內(nèi)核運算能力上，Longsys DDR5增加內(nèi)置糾錯碼（ECC），全面實現(xiàn)數(shù)據(jù)糾錯能力，進一步提高數(shù)據(jù)完整性，同時也緩解了系統(tǒng)錯誤校正負擔并充分利用DRAM讀寫的高效機制。
增加16n的預取模式
BL16使得Longsys DDR5內(nèi)存的并發(fā)性在DDR4的基礎(chǔ)上提升了一倍，信號能夠更完整高效地傳遞。本次DDR5 DIMM新架構(gòu)采用了兩個完全獨立的32位通道，提高了并發(fā)性，并使系統(tǒng)中可用的內(nèi)存通道增加了一倍。
端到端的接收模式的強化
在DDR5新技術(shù)應用中除了DQ/DQS/DM繼續(xù)采用ODT功能，增加CA、CS類信號也使用了ODT。因此，Longsys DDR5內(nèi)存進一步減少了信號脈沖的反射干擾效應，讓信號傳輸更加純凈。
DDR5 Bank Group 翻倍
DDR5內(nèi)存使Bank Group的數(shù)量增加了一倍，并且每個Group的Bank數(shù)量保持不變。Longsys DDR5 BG提供更少的訪問延遲，加倍提高了系統(tǒng)的整體效率，允許更多頁面同時被打開。
SAME-BANK Refresh刷新模式
Longsys DDR5根據(jù)標準還實現(xiàn)了一個新特性，稱為SAME-BANK Refresh（同步刷新）。此命令允許刷新每個BG中的一個Bank，使所有其他Banks保持打開狀態(tài)以繼續(xù)正常操作。
FORESEE DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）
未來的應用場景不斷革新和進步，對存儲技術(shù)提出了更嚴苛的要求，亦大大加速了DDR5發(fā)展進程，各大主流平臺對于DDR5的支持也推進迅速。Intel方面預計今年第三季度就有支持DDR5的平臺上市。而驅(qū)動DRAM內(nèi)存市場向DDR5升級的動力來自對帶寬有強烈需求的專業(yè)應用領(lǐng)域，比如服務器、云計算、數(shù)據(jù)中心、高性能計算機等應用領(lǐng)域均有望得到重點部署，此次迭代也為行業(yè)客戶提供了更出色的內(nèi)存解決方案。
Lexar雷克沙 DDR5 內(nèi)存模組產(chǎn)品（ES1）
隨著全球大量資本進入電競市場，促進了電競行業(yè)日漸普及與成熟，這也讓電競玩家對內(nèi)存等電腦配件的性能有了更高的追求。而Lexar雷克沙 DDR5的面世，不僅能夠助力電競玩家擁有更流暢的電競體驗，亦能帶動電競行業(yè)的可持續(xù)性發(fā)展。非但如此，對于白領(lǐng)用戶，特別是設(shè)計師、剪輯師等對設(shè)備性能有剛需的職業(yè)，Lexar雷克沙DDR5可有效提高辦公效率，將更多時間留給創(chuàng)造性工作。
結(jié)語
盡管Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線起步較晚，但能夠在技術(shù)創(chuàng)新的征途上愈戰(zhàn)愈勇，源于Longsys專注存儲行業(yè)20余年的技術(shù)底蘊，以及打造高品質(zhì)存儲產(chǎn)品的決心。截止2021年3月12日，Longsys申請專利總數(shù)達到838個，其中境外專利申請178項；已授權(quán)且維持有效專利411項、其中境外授權(quán)且維持有效專利83項；軟件著作權(quán)65項。在緊握自主創(chuàng)新能力的同時，注重對知識產(chǎn)權(quán)的保護。
今年，Longsys內(nèi)存產(chǎn)品線仍將精益求精，持續(xù)提供更多的DDR5產(chǎn)品規(guī)格和技術(shù)服務，助力行業(yè)客戶、終端用戶投入DDR5到未來的應用場景中，為存儲生態(tài)領(lǐng)域增添色彩。
